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LVDT位移傳感器零殘電壓產(chǎn)生原因及處理方法
發(fā)布時(shí)間:2020-07-20

米蘭特高精度LVDT位移傳感器.jpg

? ? ? ?LVDT位移傳感器是用于微位移精密測量的高精度位移傳感器。為提高傳感器的測量精度與產(chǎn)品性能,需要從軟、硬件方面綜合考慮,改善位移傳感器的輸出特性。

? ? ? ?LVDT位移傳感器采用差動(dòng)變壓器式結構,兩個(gè)次級線(xiàn)圈采用反向串聯(lián)的方式連接,輸出與鐵芯位移量存在一定線(xiàn)性關(guān)系的電壓值。當在初級線(xiàn)圈繞組加上適當的激勵電壓,移動(dòng)鐵芯位置會(huì )在兩個(gè)次級線(xiàn)圈繞組中相應地產(chǎn)生感應電動(dòng)勢。如果能保證變壓器結構完全對稱(chēng),那么在可動(dòng)鐵芯滑動(dòng)到平衡位置(就是兩個(gè)次級線(xiàn)圈繞組的幾何中間位置)時(shí),會(huì )使初級線(xiàn)圈繞組與兩個(gè)次級線(xiàn)圈繞組分別作用產(chǎn)生的兩個(gè)互感系數和在數值上相等,次級線(xiàn)圈感應電動(dòng)勢在數值上相等。由于變壓器兩個(gè)次級線(xiàn)圈繞組采用反向串聯(lián)的連接方式,差動(dòng)變壓器的輸出電壓為零,這就是LVDT位移傳感器的零位電壓。但是,在目前加工工藝條件下,無(wú)法保證變壓器結構完全對稱(chēng)。因此,LVDT位移傳感器必然存在零殘電壓的缺陷。

LVDT位移傳感器產(chǎn)生零殘電壓的主要原因有:

? ? ? ?由于兩個(gè)次級繞組線(xiàn)圈的幾何尺寸和電氣參數不對稱(chēng),氣隙不均勻,致使產(chǎn)生的感應電動(dòng)勢幅值不相等,相位不同。

? ? ? ?由于磁性材料的磁化曲線(xiàn)具有非線(xiàn)性,磁路也具有不對稱(chēng)性(這也是LVDT位移傳感器可能輸出高次諧波的主要原因)。

零殘電壓對LVDT位移傳感器的影響主要有:

? ? ? ?傳感器輸出特性在零點(diǎn)位置附近不靈敏,限制了位移傳感器分辨率的提高;

? ? ? ?如果傳感器零殘電壓太大,會(huì )大幅影響位移傳感器的線(xiàn)性精度,也會(huì )使傳感器的靈敏度大幅下降。

? ? ? ?為了減小LVDT位移傳感器的零殘電壓,線(xiàn)圈繞制過(guò)程中藥盡量保證初級線(xiàn)圈與次級線(xiàn)圈結構的均勻與對稱(chēng);次級線(xiàn)圈磁路的對稱(chēng);鐵芯選材應確保材質(zhì)均勻,經(jīng)熱處理改善型材的機械性能和磁性;設計有效的電路補償。補償電路形式很多,常見(jiàn)的有:電阻串聯(lián),電阻并聯(lián),電容并聯(lián),外加反饋繞組或反饋電容等,是一種簡(jiǎn)單有效的方法。

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